其他

半导体测试系统

产品简介

半导体测试系统 FORMULA® TT3

由FORMULA® TT3 ATE提供的各个阶段的高水平全面自动化测试过程,使得我们有可能专注于半导体器件测试的运行特性和偏差分析上。

硬件/软件、设计以及在系统测试中实现的计算解决方案保证了高度可靠的结果,这些结果使测试人员的工作不受程序和误差的影响,并在工业设备进行测量和测试时显著提高操作效率。

 

目标和应用

FORMULA® TT3测试系统是一种设计用于全面自动检验半导体设备静态参数的通用测试和测量系统,包括:场效应和双极晶体管、绝缘栅双极型晶体管、二极管、晶闸管、稳压管、光导发光组件和微电子组件,以及:

 电容测量:用于场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管的输入、交叉和输出电容;

 电荷测量:用于场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管的栅漏、栅源和总电荷;

 被动组件特定参数测量(L、CR)。

测试系统的应用是在进行半导体器件新开发类型的测试和研究,以及批量生产中测试时对半导体器件的质量控制。

FORMULA® TT3满足微电子测量和测试的计量标准要求。

 

基本技术特征和操总力

FORMULA® TT3测试系统被创建以实现对半导体器件参数高度可靠的测量。 测试系统的关键技术特征由以下数值定义:

运营商标杆数量   1

接线方案     四线

电压源和测量表:

指定和测量电压范围±100 mV…±2000 V

独立电压源数量和10; 20; 200; 500; 800; 2000 V

电压设置和测量误差±(0.5% + 10) mV

电流源和米数

定和测量电流范围±100 nA…±100 А

独立电流源数量和测量表5 mA; 200 mA; 10 А; 100 А

电流设置和测量误差±(1% ± 50) nA

电流模式±2 nA…±20 mA 伴随 ±(0.4% + 400) pA起的误差

电容特征测量模式0.1 pF 至 100 nF

电荷特征测量模式10 pC 至 2000 nC

 

测试系统是一种功能齐全的自动化工具,用于测量各种半导体设备,并为用户提供以下优点:

 测量和测试设备的高度备用状态

 测量过程和数据管理的所有阶段的自动化

 具备自动探测器、自动装载机、测试设备和仪器的操作模式

 大容量多点模式

 全天候操作可靠性

 人性化、功能完备的软件

 可快速互换的测量附件

 自动诊断和计量校准

 客户代表端独立计算测试的特别解决方案(用于模型设备连接的测试插座)。

 

该设备的以下功能使 FORMULA® TT3 测试系统易于使用:

 短脉冲(300 µs起)模式用于高功率晶体管测量,消除了从测试主体中去除技术上热度困难的必要

 输出参数编辑影响持续时间和电压/电流的测试主体

 测试晶体管和二极管组件的多芯片模式

 测量电压安培响应和伏特-法拉响应的测量主体研究模式

 在芯片和外壳上从2nA起低电流范围内的精密测量模式

 场效应晶体管和绝缘栅门极晶体管的电容特征测量模式

 场效应晶体管和绝缘栅门极晶体管的电荷特征测量模式

 通过四线方案连接半导体器件的所有测量类型的实现



TOP

QQ客服

010-88378615